Все продукты
-
Мистер ПатрикБыстрый ответ и полное понимание потребностей клиентов, хорошее отношение к обслуживанию, мы согласны с вашим обслуживанием. -
Мистер ХаррисонСерьезное отношение к сервису, а также высокое качество продукции заслуживают всеобщего доверия.
-
АннаЭто идеальное приобретение. Способность вашей компании предложить конкурентоспособные цен и качественные продучты очень впечатляюща.
Контактное лицо :
will
Номер телефона :
13418952874
Mosfet Ic 40 v 195A Tc 294W Tc канала IRFB7434PBF n до отверстие TO-220AB
| Место происхождения | Соединенные Штаты |
|---|---|
| Фирменное наименование | Infineon Technologies |
| Сертификация | RoHS |
| Номер модели | IRFB7434PBF |
| Количество мин заказа | 50 PCS |
| Цена | Negotiable |
| Упаковывая детали | 50 PCS/Tube |
| Время доставки | 2-3 дня |
| Условия оплаты | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Поставка способности | 20K PCS |
Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПодробная информация о продукте
| Категория | Одиночные FETs, MOSFETs | Mfr | Технологии Infineon |
|---|---|---|---|
| Серия | HEXFET®, StrongIRFET™ | Состояние продукта | Активный |
| Тип FET | N-канал | Технология | MOSFET (металлическая окись) |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 40V | Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | 6V, 10V | Rds на (Макс) @ id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | 3.9V @ 250µA | Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 324 nC @ 10 v |
| Vgs (Макс) | ±20V | Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 10820 pF @ 25 v |
| Диссипация силы (Макс) | 294W (Tc) | Рабочая температура | -55°C | 175°C (TJ) |
| Устанавливать тип | Через отверстие | Пакет прибора поставщика | TO-220AB |
| Высокий свет | уровень логики канала mosfet n,MOSFET IC канала n,к mosfet 220ab |
||
Характер продукции
N-канал 40 v 195A IRFB7434PBF (Tc) 294W (Tc) до отверстие TO-220AB
Особенности:
| Категория | Одиночные FETs, MOSFETs |
| Mfr | Технологии Infineon |
| Состояние продукта | Активный |
| Тип FET | N-канал |
| Технология | MOSFET (металлическая окись) |
| Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 40 v |
| Настоящий - непрерывное°C 25 стока (id) @ | 195A (Tc) |
| Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | 6V, 10V |
| Rds на (Макс) @ id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Id Vgs (th) (Макс) @ | µA 3.9V @ 250 |
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 324 nC @ 10 v |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 10820 pF @ 25 v |
| Диссипация силы (Макс) | 294W (Tc) |
| Рабочая температура | -55°C |°C 175 (TJ) |
| Устанавливать тип | Через отверстие |
| Пакет прибора поставщика | TO-220AB |
| Пакет/случай | TO-220-3 |
Дополнительные ресурсы
| АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
| Другие имена | SP001575514 |
| 2156-IRFB7434PBF | |
| IFEINFIRFB7434PBF | |
| Стандартный пакет | 50 |
Изображение данных: https://www.infineon.com/dgdl/irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55
|
±
|
Порекомендованные продукты