• Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Анна
    Это идеальное приобретение. Способность вашей компании предложить конкурентоспособные цен и качественные продучты очень впечатляюща.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Мистер Патрик
    Быстрый ответ и полное понимание потребностей клиентов, хорошее отношение к обслуживанию, мы согласны с вашим обслуживанием.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Мистер Харрисон
    Серьезное отношение к сервису, а также высокое качество продукции заслуживают всеобщего доверия.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Анна
    Это идеальное приобретение. Способность вашей компании предложить конкурентоспособные цен и качественные продучты очень впечатляюща.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Мистер Патрик
    Быстрый ответ и полное понимание потребностей клиентов, хорошее отношение к обслуживанию, мы согласны с вашим обслуживанием.
Контактное лицо : will
Номер телефона : 13418952874

Отверстие 1200 диода v 26A Tc 115W Tc Hrough Mosfet канала IMZ120R090M1H INFINEON n PG-TO247-4-1

Место происхождения Соединенные Штаты
Фирменное наименование Infineon Technologies
Сертификация RoHS
Номер модели IMZ120R090M1H
Количество мин заказа 30 PCS
Цена Negotiable
Упаковывая детали 30 PCS/Tube
Время доставки 2-3 дня
Условия оплаты L/C, D/A, D/P, T/T
Поставка способности 18K PCS

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

Whatsapp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
Категория Одиночные FETs, MOSFETs Mfr Технологии Infineon
Серия CoolSiC Состояние продукта Активный
Тип FET N-канал Технология SiCFET (кремниевый карбид)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 1200 В Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 26A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 15V, 18V Rds на (Макс) @ id, Vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V
Id Vgs (th) (Макс) @ 5.7V @ 3.7mA Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 21 nC @ 18 v
Vgs (Макс) +23V, -7V Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 707 pF @ 800 v
Диссипация силы (Макс) 115W (Tc) Рабочая температура -55°C | 175°C (TJ)
Устанавливать тип Через отверстие Пакет прибора поставщика PG-TO247-4-1
Пакет/случай TO-247-4
Высокий свет

диод mosfet канала n

,

IMZ120R090M1H INFINEON

,

диод через отверстие

Оставьте сообщение
Характер продукции

N-канал 1200 v 26A IMZ120R090M1H (Tc) 115W (Tc) до отверстие PG-TO247-4-1

Особенности: IMZ120R090M1H

Категория Одиночные FETs, MOSFETs
Mfr Технологии Infineon
Серия CoolSiC
Пакет Трубка
Состояние продукта Активный
Тип FET N-канал
Технология SiCFET (кремниевый карбид)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 1200 v
Настоящий - непрерывное°C 25 стока (id) @ 26A (Tc)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) 15V, 18V
Rds на (Макс) @ id, Vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V
Id Vgs (th) (Макс) @ 5.7V @ 3.7mA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 21 nC @ 18 v
Vgs (Макс) +23V, -7V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 707 pF @ 800 v
Диссипация силы (Макс) 115W (Tc)
Рабочая температура -55°C |°C 175 (TJ)
Устанавливать тип Через отверстие
Пакет прибора поставщика PG-TO247-4-1
Пакет/случай TO-247-4
Низкопробный номер продукта IMZ120

Дополнительные ресурсы

АТРИБУТ ОПИСАНИЕ
Другие имена 448-IMZ120R090M1HXKSA1
  IMZ120R090M1HXKSA1-ND
  SP001946182
Стандартный пакет 30

Изображение данных: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IMZ120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fda8396690
 
 
Отверстие 1200 диода v 26A Tc 115W Tc Hrough Mosfet канала IMZ120R090M1H INFINEON n PG-TO247-4-1 0
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

±