• Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Мистер Патрик
    Быстрый ответ и полное понимание потребностей клиентов, хорошее отношение к обслуживанию, мы согласны с вашим обслуживанием.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Мистер Харрисон
    Серьезное отношение к сервису, а также высокое качество продукции заслуживают всеобщего доверия.
  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Анна
    Это идеальное приобретение. Способность вашей компании предложить конкурентоспособные цен и качественные продучты очень впечатляюща.
Контактное лицо : will
Номер телефона : 13418952874
Китай КАНАВА 100V электроники транзистора диода полупроводника IPB0401NM5S компонентная

КАНАВА 100V электроники транзистора диода полупроводника IPB0401NM5S компонентная

Номер продукта: IPB0401NM5S
Изготовитель: Технологии Infineon
Категория: Одиночные FETs, MOSFETs
Китай Продукты полупроводника IGBT FGD3N60UNDF дискретные NPT 600V 6 60W поверхностный держатель TO-252AA

Продукты полупроводника IGBT FGD3N60UNDF дискретные NPT 600V 6 60W поверхностный держатель TO-252AA

Изготовитель: onsemi
Категория: Одиночное IGBTs
Номер продукта: FGD3N60UNDF
Китай Держатель SuperSOT™-6 Ic 25V 680mA 460mA 700mW массива Mosfet силы FDC6321C поверхностный

Держатель SuperSOT™-6 Ic 25V 680mA 460mA 700mW массива Mosfet силы FDC6321C поверхностный

Изготовитель: onsemi
Категория: FET, MOSFET одевает
Номер продукта: FDC6321C
Китай A.C. 96W Tc DirectFET N-канала 40V 217 транзистора диода резистора IRF7480MTRPBF равновеликое Я

A.C. 96W Tc DirectFET N-канала 40V 217 транзистора диода резистора IRF7480MTRPBF равновеликое Я

Категория: Одиночные FETs, MOSFETs
Mfr: Технологии Infineon
Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
Китай Держатель ATPAK животиков v 55A 60W Tc Mosfet 60 P-канала транзистора диода ATP114-TL-H поверхностный

Держатель ATPAK животиков v 55A 60W Tc Mosfet 60 P-канала транзистора диода ATP114-TL-H поверхностный

Категория: Одиночные FETs, MOSFETs
Mfr: onsemi
Тип FET: P-канал
Китай Транзистор диода IPP65R110CFDA и N-канал 650 v 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 тиристора

Транзистор диода IPP65R110CFDA и N-канал 650 v 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 тиристора

Категория: Одиночные FETs, MOSFETs
Mfr: Технологии Infineon
Серия: Автомобильный, AEC-Q101, CoolMOS™
Китай Отверстие 1200 диода v 26A Tc 115W Tc Hrough Mosfet канала IMZ120R090M1H INFINEON n PG-TO247-4-1

Отверстие 1200 диода v 26A Tc 115W Tc Hrough Mosfet канала IMZ120R090M1H INFINEON n PG-TO247-4-1

Категория: Одиночные FETs, MOSFETs
Mfr: Технологии Infineon
Серия: CoolSiC
Китай Уровень n 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 логики Mosfet канала n наивысшей мощности IPP65R110CFDA

Уровень n 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 логики Mosfet канала n наивысшей мощности IPP65R110CFDA

Категория: Одиночные FETs, MOSFETs
Mfr: Технологии Infineon
Серия: Автомобильный, AEC-Q101, CoolMOS™
Китай Держатель 8-SOIC IC 100V 4.5A 2.5W массива Mosfet канала FDS3992 n поверхностный

Держатель 8-SOIC IC 100V 4.5A 2.5W массива Mosfet канала FDS3992 n поверхностный

Изготовитель: onsemi
Категория: FET, MOSFET одевает
Номер продукта: FDS3992
Китай Транзистор 450 v 30 a 200 w диода BUF420AW двухполярный BJT NPN до отверстие TO-247-3

Транзистор 450 v 30 a 200 w диода BUF420AW двухполярный BJT NPN до отверстие TO-247-3

Категория: Двухполярные транзисторы - BJT
Mfr: STMicroelectronics
Тип транзистора: NPN
1 2