-
Мистер ПатрикБыстрый ответ и полное понимание потребностей клиентов, хорошее отношение к обслуживанию, мы согласны с вашим обслуживанием.
-
Мистер ХаррисонСерьезное отношение к сервису, а также высокое качество продукции заслуживают всеобщего доверия.
-
АннаЭто идеальное приобретение. Способность вашей компании предложить конкурентоспособные цен и качественные продучты очень впечатляюща.
A.C. 96W Tc DirectFET N-канала 40V 217 транзистора диода резистора IRF7480MTRPBF равновеликое Я

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xКатегория | Одиночные FETs, MOSFETs | Mfr | Технологии Infineon |
---|---|---|---|
Серия | HEXFET®, StrongIRFET™ | Тип FET | N-канал |
Технология | MOSFET (металлическая окись) | Стеките к напряжению тока источника (Vdss) | 40 v |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 217A (Tc) | Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) | 6V, 10V |
Rds на (Макс) @ id, Vgs | 1.2mOhm @ 132A, 10V | Id Vgs (th) (Макс) @ | 3.9V @ 150µA |
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs | 185 nC @ 10 v | Vgs (Макс) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds | 6680 pF @ 25 v | Диссипация силы (Макс) | 96W (Tc) |
Рабочая температура | -55°C | 150°C (TJ) | Устанавливать тип | Поверхностный держатель |
Пакет прибора поставщика | DirectFET™ равновеликое Я | ||
Высокий свет | 40 В 217 А C 96 Вт Tc DirectFET Isometrics IRF7480MTRPBF,40 В C 96 Вт Tc DirectFET Isometrics IRF7480MTRPBF,IRF7480MTRPBF 40 В C 96 Вт Tc DirectFET Isometrics |
IRF7480MTRPBF N-канальный, 40 В, 217 A (Tc), 96 Вт (Tc), поверхностный монтаж DirectFET™, изометрический ME
Функции:
Категория | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
производитель | Инфинеон Технологии |
Тип полевого транзистора | N-канал |
Технологии | МОП-транзистор (оксид металла) |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 В |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25ツーC | 217А (ТС) |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6В, 10В |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1,2 мОм при 132 А, 10 В |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 3,9 В при 150µА |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 185 нКл при 10 В |
VGS (макс.) | ±20В |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6680 пФ при 25 В |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 96 Вт (Тс) |
Рабочая Температура | -55°С~ 150°С(ТД) |
Тип крепления | Поверхностное крепление |
Пакет устройств поставщика | Изометрический МЭ DirectFET |
Базовый номер продукта | IRF7480 |
Дополнительные ресурсы
АТРИБУТ | ОПИСАНИЕ |
Другие имена | IRF7480MTRPBFCT |
ИРФ7480МТРПБФ-НД | |
IRF7480MTRPBFTR | |
СП001566252 | |
IRF7480MTRPBFDKR | |
Стандартный пакет | 4800 |
Изображение данных:https://www.infineon.com/dgdl/irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30
±
|